プレスリリース

2020.11.05

強誘電体薄膜の大面積評価を可能に~強誘電体デバイスの実用化を加速~:物理工学専攻 上村洋平 D3、荒井俊人 講師、長谷川達生 教授ら

東京大学大学院新領域創成科学研究科、東京大学大学院工学系研究科、産業技術総合研究所 産総研・東大 先端オペランド計測技術オープンイノベーションラボラトリの共同研究グループは、強誘電体薄膜の分極の向きや大きさなどの分極ベクトル情報を得ることのできる新手法の開発に成功しました。従来の評価手法では、実用的なデバイスを評価するのに十分な面積(~1mm2)の強誘電体薄膜試料の分極ベクトル情報を評価することが難しく、このことが、強誘電体薄膜デバイスを大面積化する上での課題の一つとなっていました。今回、共同研究グループは、フェムト秒レーザーパルス照射によるテラヘルツ波放射を利用することで、強誘電体薄膜試料の分極ベクトルを3次元的に決定することに成功しました。今回開発した手法は、プリンテッドエレクトロニクスの中核をなす強誘電体メモリーデバイスの非破壊・非接触評価法の一つとして将来利用されることが期待されます。
本研究成果は、アメリカ物理学会の論文誌「Physical Review Applied」2020 年 11月2 日版に掲載されました。日本学術振興会(JSPS)科学研究費補助金「テラヘルツ電磁波発生を利用した新しい時空間分光法の開発と物性研究への展開(JP18H01858)」(研究者代表者:貴田徳明)の一環として行われました。



プレスリリース本文:/shared/press/data/setnws_202011051402011774109648_621217.pdf

産総研:https://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2020/pr20201105/pr20201105.html