プレスリリース

東京大学大学院工学系研究科の石井友章博士と大矢忍准教授のグループ、田中雅明教授のグループ、および東京大学大学院新領域創成科学研究科の岡本博教授の研究グループは、強磁性ナノ微粒子を半導体中に埋め込んだ試料に対して、超短テラヘルツパルス光(テラヘルツ:1012 Hz)を照射し、飽和磁化の約20%という強磁性薄膜を用いた従来の研究で得られていた大きさの約20倍以上に相当する巨大な磁化変調を得ることに成功しました。

超短テラヘルツパルス光のパルス幅はピコ秒(1兆分の1秒)と非常に短く、この短い時間スケールでは、磁化は磁気的な摩擦の影響をほとんど受けずに光パルスの波形に追従して高速に動くことが知られています。そのため、磁化をピコ秒で極めて高速に反転できるようになる可能性があります。今回、研究グループは半導体中に強磁性ナノ微粒子を埋め込んだユニークな試料を用いることにより、大きな磁化変調を実現しました。本成果は、ピコ秒での磁化反転を利用した超高速不揮発性メモリの実現などにつながるものと期待されます。

 

 

プレスリリース本文:/shared/press/data/setnws_201904261117143101004662_891726.pdf

Applied Physics Letters:https://aip.scitation.org/doi/full/10.1063/1.5088227