ハン教授はさまざまな工学分野、特に電子デバイス分野における材料の問題に理論的なアプローチを適用することに注力してきました。ハイスループット計算による材料のスクリーニングによる、同教授は立方晶BeOが理想的な誘電体になりうることを提案しました。この成果は半導体企業から大変注目を集めました。さらに同教授は、それまで理解しがたかった、抵抗変化メモリの動作原理を実験グループとともに解明した。この成果は、研究者がデバイス特性を改善する上で大変役立っています。同教授は、これまでに150編を超える学術論文を発表し、その被引用数はGoogle Scholarによれば9,000回を超えています。また、Science and technology of Advanced Materials誌およびElectronic Materials Letter誌のAssociate Editorを務めているほか、International Technology Roadmap for Semiconductors(2013)におけるモデリング・シミュレーション部門の主要貢献者の1人です。