放射光施設における軟X線を利用した磁気円二色性測定は、最近の技術革新により薄膜やナノサイズの極小試料における磁化の観測が元素別に可能になるなど、物質科学だけでなく、次世代のデバイスとして期待されているスピントロニクスへの応用が期待されています。一方、スピントロニクスにおいては、高速化に向けてスピンの制御を磁場でなくレーザーなどの光により行うことが求められています。東京大学物性研究所の和達大樹(わだちひろき)准教授と同大学院工学系研究科の十倉好紀(とくらよしのり)教授(理化学研究所創発物性科学研究センター センター長)らの研究グループは、ドイツのHelmholtz-Zentrum Berlinの研究グループと共同で、強磁性で絶縁性を示す鉄酸化物BaFeO3の時間分解磁気円二色性測定を行い、レーザーを照射することにより消磁と絶縁体から金属への転移の観測に成功しました。更にレーザー強度を上げていくことで、絶縁体であった薄膜が金属化すると同時に消磁していく時間が短くなることが分かりました。本成果は今後、レーザーによる磁気情報の書き込みなどの際に、レーザー強度によって場所ごとに書き込む情報を変えるなどの応用につながることが期待できます。
この研究成果は、米国科学誌Physical Review Lettersに掲載されます。
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Abstract URL: http://arxiv.org/abs/1511.03365