電気系工学専攻 佐々木 洸さん（M2）が第60回（2026年春季）応用物理学会講演奨励賞を受賞されました

2026年9月8日、電気系工学専攻 前田研究室 佐々木 洸さん（M2）が第60回（2026年春季）応用物理学会講演奨励賞を受賞されました。

第60回（2026年春季）応用物理学会講演奨励賞

応用物理学会講演奨励賞は、応用物理学会の春秋講演会に於いて、応用物理学の発展に貢献しうる優秀な一般講演論文を発表した若手会員に対して授与し、その功績を称えることを目的としています。一般口頭講演総数の1.5%以内を限度として選ばれます。

受賞された研究内容・活動について
近年、従来の窒化物半導体（GaN, AlN, InN）にScやBなどの異種元素を添加することによって、格子定数やバンドギャップの変調や自発分極や圧電性の増大、強誘電性の発現など、材料の選択性や機能の拡大を目指す基礎研究が活発化しています。我々は、これまでにAlNにNbを添加することによって、大きな分極を有するウルツ鉱構造のNbAlN混晶をGaN上にエピタキシャル成長することに成功しました[1]。本研究では、この新規窒化物材料NbAlNについて、放射光分光測定により、その表面酸化状態について詳細かつ系統的に調べ、光子エネルギー依存性やピークスペクトル解析からNbAlNの表面酸化機構について明らかにしました。特に、Nb組成が増大するにつれて表面酸化がやや抑制されることが分かり、ScAlNの場合（Sc組成増大によって表面酸化が顕著に生じる）と比較議論し、ポーリングの電気陰性度によって統一的に説明できることを示しました。本研究で得られた知見は、NbAlNをはじめとした新規窒化物材料を用いた光電子デバイスの研究開発に大きく役立つ結果です。

著者：佐々木 洸、武田 崇仁、棟方 晟啓、小林 正起、藤森 淳、奥田 朋也、黒木 颯太、小林 篤、前田 拓也
講演題目：GaN上スパッタエピタキシャル成長NbAlN薄膜のX線分光測定による表面酸化状態評価
第73回応用物理学会春季学術講演会、15p-SL_101-9、東京科学大学大岡山キャンパス、2026/03．

[1] プレスリリース「遷移金属ニオブを含む極性ウルツ鉱型窒化物半導体「NbAlN」の作製に成功～GaN系ヘテロ構造の界面電子密度を3倍超に高め、分極を生かした材料設計を拡張～」
https://www.t.u-tokyo.ac.jp/press/pr2026-09-07-001 
【論文情報】
雑誌名：Advanced Materials
論文タイトル：Polar Wurtzite NbAlN: A Transition-Metal Nitride Alloy for Polarization-Engineered GaN Heterostructures
著者：Atsushi Kobayashi, Souta Kurogi, Tomoya Okuda, Riku Kikuchi, Yusuke Wakamoto, Kouei Kubota, Hikaru Sasaki, Kazuhisa Ikeda, Kanako Shojiki, Takahiro Kawamura, Toru Akiyama, Takehito Seki, Takuya Maeda
DOI：10.1002/adma.74756

今後の抱負・感想

このたびは栄誉ある賞をいただき、大変光栄に存じます。日頃よりご指導いただいている前田先生、ご指導・ご協力いただいた共同研究者の皆様、そして研究室のメンバーに感謝申し上げます。今後も研究活動に励んでまいります。

第60回（2026年春季）応用物理学会講演奨励賞