電気系工学専攻 御手洗 勇輝さん（D1）が IEEE Symposium on VLSI Technology & Circuit best student paper Nominee を受賞されました

2026年6月18日、電気系工学専攻 御手洗 勇輝さん（D1）が IEEE Symposium on VLSI Technology & Circuit best student paper Nominee を受賞されました。

授賞式の様子

賞状

IEEE Symposium on VLSI Technology & Circuit best student paper Nominee

IEEE Symposium on VLSI Technology & Circuits において、2004年以来、次世代を牽引する学生プロジェクトの研究を奨励するため、授与されているものです。この賞のFinalistに選ばれました。

受賞された研究内容・活動について 

研究タイトル： 非接触チップ間インターフェースを用いたDRAM-on-GPU集積向け三次元直交ダイ積層技術
概要： 直交積層技術「Massive Orthogonal Stacking Assembly of IC（MOSAIC）」により、3D Memory-on-GPU構成における熱的制約の克服を実証した。メモリダイをGPUに対して直交方向に積層することで効率的に放熱し、従来の2倍のメモリ容量を実現する。試作において最大4 Gbps/chを達成した非接触ダイ間インターフェースにより、実装上の課題が緩和され、TSVを用いない三次元集積が可能となる。

今後の抱負・感想

このたび、本研究がBest Student Paper Nomineeに選ばれ、大変光栄に思います。ご指導いただいた指導教員の先生方、ならびに日々の議論を通じて研究を支えてくださった共同研究者の皆様に、心より感謝申し上げます。本研究はMOSAICの原理実証を行ったものであり、そのシステム実現に向けて、より一層研究に邁進してまいります。