電気系工学専攻 城谷 光亮さん（M1）が第18回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 発表奨励賞を受賞されました

2026年5月23日、電気系工学専攻 前田研究室 城谷 光亮さん（M1）が第18回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 発表奨励賞を受賞されました。

第18回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 発表奨励賞
発表奨励賞は、ナノエピ分科会の講演会において、結晶成長及び関連の研究の発展に貢献する優秀な論文を発表した若手会員に対して授与し、その功績を称えることを目的とする賞です。

受賞された研究内容・活動について

2026年5月21日-23日に立命館アジア太平洋大学（大分）で行われた第18回ナノ構造エピタキシャル成長講演会において、「PA-MBE成長ScAlN/GaNヘテロ構造の構造特性及び電気的特性の評価」という題で発表し、発表奨励賞を受賞しました。

著者: 城谷 光亮*, 久保田 航瑛*, 佐々木 洸*, 中根 了昌*, 前田 拓也*
所属: *東京大学
題目: 「PA-MBE成長ScAlN/GaNヘテロ構造の構造特性及び電気的特性の評価」
ナノエピ学会HP: https://sites.google.com/view/nanoepi/event
前田研究室HP: https://sites.google.com/g.ecc.u-tokyo.ac.jp/maeda-lab/home

今後の抱負・感想
このたびは栄誉ある賞を賜り、大変光栄に存じます。日頃よりご指導いただいている前田先生、共同研究でお世話になっている小林先生をはじめとする東京理科大学の方々、そして研究室メンバーの皆様に感謝いたします。今回の受賞を励みとして、さらに今後の研究活動に取り組んでまいります。