電気系工学専攻 佐々木 一晴さん（M2）がISPSD 2026 Charitat Young Researcher Awardを受賞されました

2026年5月28日、電気系工学専攻 前田研究室 佐々木 一晴さん（M2）がISPSD 2026 Charitat Young Researcher Awardを受賞されました。

ISPSD 2026 Charitat Young Researcher Award
ISPSD Charitat Young Researcher Awardは、パワー半導体デバイス及びICに関する国際会議IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)において口頭発表した30歳以下の若手研究者の中で最優秀の発表に対して与えられる最も名誉ある賞です。

受賞された研究内容・活動について

2026年5月24日-28日にLas Vegas (USA)で行われたThe 38th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)において、「Extremely Low on-Resistance AlN-based SBDs with Distributed Polarization Doping Drift Layer」という題で発表し、ISPSD 2026 Charitat Young Researcher Awardを受賞しました。
著者: Issei Sasaki*, Masanobu Hiroki**, Kazuaki Ebata**, Kazuyuki Hirama**, Yoshitaka Taniyasu**, Takuya Maeda*
所属: *The University of Tokyo, **Basic Research Lab., NTT Co.
題目: "Extremely Low on-Resistance AlN-based SBDs with Distributed Polarization Doping Drift Layer"
学会HP: https://www.ispsd2026.com/
発表に関するプレスリリース: 「超低損失AlN系ショットキーバリアダイオードの試作に成功 ―低炭素社会に寄与する新しいパワー半導体の実現に向け大きく前進―」(https://www.t.u-tokyo.ac.jp/press/pr2026-05-25-002 )
前田研究室HP: https://sites.google.com/g.ecc.u-tokyo.ac.jp/maeda-lab/home

今後の抱負・感想
このたびは栄誉ある賞をいただき、大変光栄に思っております。本研究を進めるにあたり、日頃よりご指導くださった前田先生、多くのご助言とご協力をいただいたNTT物性科学基礎研究所の皆さま、そして日々支えてくださった研究室のメンバーに、心より感謝申し上げます。今回の受賞を励みに、今後も研究をさらに深め、本分野の発展に貢献できるよう努めてまいります。