2026年2月10日、電気系工学専攻 伊藤 広恭さん（M2）、赤澤 智熙さん（D2）が IEEE EDS Japan Chapter Student Award を受賞されました。
IEEE EDS Japan Chapter Student Award
本賞は、日本国内の大学、大学院に所属する若い学生研究者のなかで、電子デバイス技術への貢献が優れて大きいと認められる方に授与されます。
受賞された研究内容・活動について
受賞対象発表論文
伊藤 広恭：K. Ito, M. Takenaka, S. Takagi, and K. Toprasertpong, “Revealing wake-up mechanism in ultra-thin ferroelectric HZO: Domain de-pinning triggered by oxygen vacancy annihilation exhibiting optimal wake-up frequency,” 2025 Symposia on VLSI Technology and Circuits, T11-1, Kyoto, Japan, Jun. 8-12, 2025.
本発表は薄膜の強誘電体HZOにおいて課題となるウェークアップ現象を系統的に調べてその物理機構を明らかにし、さらに効率的なウェークアップ手法を提案しています。
赤澤 智熙：T. Akazawa, R. Tang, H. Tang, M. Okano, K. Toprasertpong, S. Takagi, and M. Takenaka, “Ultralow-energy and fast optical switch by III-V/Si hybrid MOS optical phase shifters,” 2025 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 21-5, San Francisco, CA, USA, Dec. 6-10, 2025.
本発表は本研究室が開発してきたMOS型光位相シフタを用いることで極低消費電力の光スイッチを実証し、データサーバーの低消費電力化する技術を提供しています。
今後の抱負・感想
本研究を通して得られた知見をさらに発展させ、電子デバイス分野の発展に貢献できるよう研究を進めていきたいと考えています。今後もより深い理解と新しいデバイス技術の創出を目指して努力していきます。
電気系工学専攻 周中一さん（D2）と徐安然さん（M2）が「Best Presentation Award at Ubicomp/ISWC '21」を受賞されました
