2025年3月24日、電気系工学専攻前田 拓也講師が第24回船井研究奨励賞を受賞されました。
船井研究奨励賞
情報科学、情報技術分野を中心に広く理工系分野において、顕著な研究業績があった若手研究者に授与される賞です。日本の科学技術に関する研究の向上、発展に寄与することを目的としています。 対象者は、国内の大学あるいは公的研究機関に所属し、船井研究奨励賞は博士号取得後5年以内の研究者です。評価の視点は、学術的な新規性だけでなく、産業への応用可能性等も含まれています。
受賞された研究内容・活動について
受賞題目「次世代パワーデバイスに向けた窒化物ワイドギャップ半導体の高電界物性の解明」
前田 拓也講師は、パワー半導体の材料として知られる窒化ガリウム(GaN)をはじめとしたワイドギャップ半導体の高電界物性に関する研究に取り組まれています。これまでに、GaN p-n接合におけるほぼ理想的なアバランシェ破壊の実証、高電界光吸収を利用した新規測定方法によるGaNの衝突イオン化係数の解明、AlGaN/GaNヘテロ接合における二次元電子ガス(2DEG)の飽和ドリフト速度の解明、窒化アルミニウム(AlN)系ショットキーバリアダイオードにおける高電界電子輸送機構の解明などに成功し、当該分野において国際的に卓越した研究成果を挙げられています。
今後の抱負・感想
このような素晴らしい賞を頂くことができて、大変光栄に思います。学生時代からお世話になっております先生方や共同研究者の方々、学生の皆様に感謝申し上げます。今後の研究では、引き続きワイドギャップ半導体における高電界物性を探求するとともに、その理解に基づいたデバイス性能の向上や革新的なデバイスの提案に挑戦していきたいと思います。
公益財団法人 船井情報科学振興財団 https://funaifoundation.jp/grantees/awardees_up_to_now.html