2015年9月28日電気系工学専攻 足立真輝さんが、International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)においてSSDM Young Researcher Awardを受賞されました。
この賞は国際学会 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)において優れた口頭発表を行った若手研究者に贈られる賞です。
＜受賞された研究・活動について＞
戦略的にランダム性を取り入れる「ゆらぎエレクトロニクス」は、従来にはない統計力学的挙動や、巨大物性発現を誘発するため、大きな注目を集めている。本研究では、薄膜と基板との間の格子不整合による格子歪みを利用することで、厚み方向への歪み勾配を生み出す結晶設計により、撓電性分極と磁気分極のカップリング効果を狙った。これにより、従来では10GHz程度の磁気共鳴周波数が、400GHz程度まで向上させることに成功した。この結果は、スピントロニクス・マグノニクス応用において、計算速度の向上、信号強度の増加といった効果が期待される。
＜今後の抱負・感想＞
この度は栄誉ある賞を賜ることができ、光栄に思います。企業に就職し、研究職として働き始めましたが、今後もこの賞に恥じぬよう、日本のためになる材料研究に邁進してまいります。また熱心にご指導ご鞭撻頂いた田畑仁教授、ならびに研究室のみなさまにこの場を御借りして厚く感謝申し上げます。
