世界で初めてSiCパワー半導体素子の抵抗要因の影響度を解明 - SiCパワー半導体素子界面下の抵抗を3分の1に低減 -

三菱電機株式会社と国立大学法人東京大学は、世界で初めて、パワー半導体モジュールに搭載されるSiCパワー半導体素子の抵抗の大きさを左右する電子散乱を起こす3つの要因の影響度を解明するとともに、要因の一つである電荷による電子散乱の抑制により、界面下の抵抗が従来比 3分の1に低減することを確認しました。SiCパワー半導体素子の低抵抗化によるパワーエレクトロニクス機器のさらなる省エネに貢献します。

　なお、本研究成果を「IEDM2017（The International Electron Devices Meeting）」（於：アメリカ San Francisco、12月2日から開催）にて12月5日（日本時間）に発表しました。

プレスリリース本文：PDFリンク

三菱電機 : http://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2017/1205-a.pdf