プレスリリース

2018.12.04

電磁ノイズの影響を受けにくい動作原理を世界で初めて考案 -硫黄元素による電流制御で、SiCパワー半導体素子の性能を向上- : マテリアル工学専攻 喜多浩之准教授ら

三菱電機株式会社と国立大学法人東京大学は、パワーエレクトロニクス機器に搭載されるSiCパワー半導体素子において、外部からの電磁ノイズの影響を受けにくい動作原理を世界で初めて考案しました。SiCパワー半導体素子内に硫黄元素を加えることで、電流経路内の電子の一部が捕獲され、素子の電気抵抗を増大させることなくスイッチング動作開始時の制御電圧を高められることを実証しました。今回考案した動作原理の適用により、外部からの電磁ノイズへの耐性が高まり、SiCパワー半導体素子の誤動作が低減することで、パワーエレクトロニクス機器の信頼性を高めていきます。

 なお、本研究成果を「IEDM2018(The International Electron Devices Meeting)」(於:アメリカ San Francisco、12月1日から開催)にて12月4日(日本時間)に発表しました。

プレスリリース本文:/shared/press/data/setnws_201812041032599757530466_575181.pdf

三菱電機:http://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2018/1204.pdf