プレスリリース

2017.12.05

世界で初めてSiCパワー半導体素子の抵抗要因の影響度を解明 -SiCパワー半導体素子界面下の抵抗を3分の1に低減- : マテリアル工学専攻 喜多浩之准教授ら

三菱電機株式会社と国立大学法人東京大学は、世界で初めて、パワー半導体モジュールに搭載されるSiCパワー半導体素子の抵抗の大きさを左右する電子散乱を起こす3つの要因の影響度を解明するとともに、要因の一つである電荷による電子散乱の抑制により、界面下の抵抗が従来比 3分の1に低減することを確認しました。SiCパワー半導体素子の低抵抗化によるパワーエレクトロニクス機器のさらなる省エネに貢献します。

 なお、本研究成果を「IEDM2017(The International Electron Devices Meeting)」(於:アメリカ San Francisco、12月2日から開催)にて12月5日(日本時間)に発表しました。

 

プレスリリース本文:/shared/press/data/setnws_201712051142445278507411_385969.pdf

三菱電機 : http://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2017/1205-a.pdf